Pertarungan Tersembunyi untuk Menguasai Memori AI
Industri semikonduktor global menyaksikan perubahan besar dalam imbangan kuasa apabila China melancarkan cabaran yang belum pernah berlaku sebelum ini terhadap penguasaan Korea Selatan yang telah lama bertapak dalam pembuatan cip memori. Selama beberapa dekad, gergasi Korea Samsung Electronics dan SK Hynix, bersama pesaing Amerika Micron Technology, menguasai lebih 90 peratus pasaran DRAM global, membina kubu kepakaran teknologi yang kelihatan sukar ditembusi. Namun, penguasaan itu kini berdepan ujian paling serius daripada pencabar tempatan yang bercita-cita tinggi, disokong modal negara bernilai berbilion-bilion dan didorong desakan geopolitik.
Kandungan
ChangXin Memory Technologies (CXMT), yang ditubuhkan pada 2016, hanya lebih sedekad lalu, muncul sebagai peneraju China dalam sektor memori, berkembang pesat daripada pemain kecil sehingga meraih kira-kira 4 hingga 5 peratus bahagian pasaran DRAM global. Syarikat itu mencatat keuntungan buat kali pertama pada 2025 dan kini sedang membuat persiapan untuk tawaran awam permulaan (IPO) besar-besaran bernilai $4.2 bilion di Bursa Saham Shanghai, menandakan daya maju komersial serta kepentingan strategik nasionalnya. Langkah kewangan ini berlaku ketika persaingan teknologi antara Washington dengan Beijing semakin sengit, dan cip memori menjadi titik sekatan penting dalam rantaian bekalan kecerdasan buatan.
Walaupun tekanan semakin meningkat, pakar industri berpendapat bahawa kelebihan teknologi Korea masih besar, khususnya dalam segmen memori lebar jalur tinggi (HBM) yang penting untuk melatih model bahasa besar dan menggerakkan aplikasi AI canggih. Pengeluar cip Korea merupakan yang pertama mengkomersialkan memori DDR5 pada 2020 dan kini menghantar produk HBM3E generasi kelima kepada pelanggan utama AI, sambil membuat persiapan untuk tawaran HBM4 generasi seterusnya. Penganalisis menganggarkan kelebihan ini sekitar dua hingga tiga tahun dalam DRAM standard dan tiga hingga empat tahun dalam teknologi tindanan HBM yang lebih rumit.
Jaguh Memori China Bangkit dengan Sokongan Negara
Kebangkitan CXMT didorong salah satu program subsidi semikonduktor terbesar di dunia, iaitu Dana Pelaburan Industri Litar Bersepadu Nasional yang diterajui negara dan lazim dikenali sebagai Big Fund. Dengan modal terkumpul melebihi 690 trilion yuan (kira-kira $95 bilion), inisiatif ini mencerminkan tekad Beijing untuk mencapai sara diri dalam semikonduktor ketika persaingan teknologi dengan Amerika Syarikat semakin sengit. Fasa ketiga dana itu, yang dilancarkan pada 2024, secara khusus menyasarkan cip AI canggih dan pembangunan HBM, di samping memperkukuh rantaian bekalan secara lebih luas.
Kemajuan teknologi syarikat itu mengagumkan mengikut piawaian sejarah. Menurut prospektus IPOnya, CXMT beralih daripada pembangunan peringkat awal kepada pengeluaran volum tinggi hanya dalam beberapa tahun, dan baru-baru ini mengumumkan pengeluaran besar-besaran produk memori DDR5 dan LPDDR5X untuk komputer peribadi, pelayan dan peranti mudah alih. Dalam sektor HBM, CXMT mula mengeluarkan HBM2 secara besar-besaran pada hujung 2024 dan menyasarkan pengeluaran produk kelas HBM3 menjelang 2026 serta kemungkinan HBM3E menjelang 2027, iaitu jadual yang akan mengecilkan jurang dengan peneraju global kepada tiga atau empat tahun.
Analisis bebas daripada TechInsights mengesahkan bahawa CXMT kini mampu mengeluarkan DRAM pada nod D1y dan D1z, bersamaan kira-kira 17 hingga 13 nanometer, dengan ketumpatan DDR5 yang setanding dengan produk pesaing global terkemuka pada 2021. Syarikat itu dilaporkan sedang membangunkan nod bawah 15 nanometer (D1α dan D1β) yang penting untuk pengeluaran HBM3E, dan mungkin mengikuti langkah Micron pada 2021 yang berjaya mencapai D1α tanpa litografi ultraungu ekstrem.
Lee Jong-hwan, profesor kejuruteraan semikonduktor sistem di Universiti Sangmyung, berkata matlamat strategik China melangkaui kejayaan komersial serta-merta.
Jurang teknologi dengan China memang jelas. Namun, matlamat utama China bukanlah keuntungan jangka pendek. Cita-citanya dalam bidang cip berkait langsung dengan persaingannya dengan AS, termasuk dalam keupayaan AI dan ketenteraan.
Mengukur Jurang Teknologi
Dimensi sebenar jurang teknologi menunjukkan gambaran kemajuan dan keterbatasan yang rumit. Dalam pembuatan DRAM standard, peneraju Korea dan global telah beralih kepada nod kelas 10 nanometer generasi kelima dan keenam, yang dikenali sebagai 1b dan 1c, sekali gus membolehkan ketumpatan lebih tinggi dan kecekapan kuasa yang lebih baik. Syarikat China kini kebanyakannya beroperasi pada nod 1z, iaitu teknologi bawah 20 nanometer daripada generasi lebih awal yang menghasilkan kadar hasil lebih rendah dan kos pengeluaran lebih tinggi.
Perbezaan nod proses ini memberikan kelebihan daya saing yang besar kepada pengeluar Korea. Cip yang dihasilkan pada nod 1b dan 1c menawarkan prestasi lebih tinggi dengan penggunaan kuasa lebih rendah, selain dapat dikeluarkan dengan lebih ekonomik pada skala besar. Kelebihan itu bertambah dari satu generasi produk ke generasi berikutnya. Akademi Kejuruteraan Kebangsaan Korea menganggarkan jurang ini sekitar dua hingga tiga tahun, semakin kecil berbanding ketinggalan sedekad yang pernah berlaku, namun masih besar dalam industri yang setiap generasinya membawa peningkatan kecekapan yang ketara.
Dalam memori kilat NAND, perbezaannya kelihatan lebih kecil walaupun masih ketara. Peneraju pasaran Samsung dan SK Hynix kini mengeluarkan secara besar-besaran cip 286 hingga 321 lapisan, antara produk paling canggih dalam industri. Pengeluar China, yang diterajui Yangtze Memory Technologies (YMTC), telah mempercepat kemajuan untuk menghasilkan cip NAND 232 lapisan. YMTC khususnya telah membangunkan teknologi ikatan hibrid yang dianggap lebih canggih berbanding teknologi pesaing Korea dalam aplikasi tertentu. Ini menunjukkan bahawa kemajuan China, meskipun tidak sekata, merangkumi penemuan sebenar dalam bidang teknikal tertentu.
Jurang itu jauh lebih besar dalam memori lebar jalur tinggi, iaitu bidang yang penguasaan Korea paling ketara. Pengeluaran HBM melibatkan penindanan menegak cip DRAM yang rumit dari segi teknikal menggunakan sambungan menembusi silikon untuk meningkatkan prestasi dan kecekapan kuasa. Bidang ini secara meluas dianggap sebagai halangan tertinggi dalam pembuatan memori. Walaupun CXMT mengumumkan hasrat untuk memasuki pasaran ini, pengeluar cip Korea sudah pun membekalkan HBM3E pada skala besar dan membuat persiapan untuk memperkenalkan HBM4. Kepimpinan ini kurang bergantung pada nod proses yang menjadi tumpuan utama, sebaliknya pada ketepatan tindanan, kawalan haba dan kestabilan kadar hasil yang dipertingkat melalui kerjasama rapat selama bertahun-tahun dengan pereka cip AI.
Pengintipan Industri dan Perlindungan Rahsia
Tekanan persaingan terserlah dalam pertikaian undang-undang besar berhubung perlindungan harta intelek. Pada 26 Disember 2025, pendakwa raya Korea Selatan mendakwa 10 individu, termasuk bekas eksekutif dan jurutera Samsung Electronics, atas dakwaan membocorkan rahsia pembuatan DRAM canggih 10 nanometer kepada CXMT. Lima suspek masih ditahan, manakala lima lagi didakwa tetapi dibebaskan dengan ikat jamin, menjadikannya antara kes pengintipan industri paling besar dalam sejarah Korea.
Menurut Pejabat Pendakwa Raya Daerah Pusat Seoul, individu yang didakwa memegang jawatan penting dalam penyelidikan dan pembangunan di CXMT selepas meninggalkan Samsung. Penyiasat mendapati seorang penyelidik yang berhenti menyalin ratusan langkah maklumat proses DRAM proprietari dengan tangan, termasuk butiran penting mengenai turutan proses, spesifikasi peralatan dan pengoptimuman kadar hasil. Nota tulisan tangan itu didakwa digunakan untuk membina semula dan menyesuaikan aliran pembuatan Samsung di CXMT, sekali gus membolehkan firma China itu menjadi pengeluar domestik pertama cip DRAM 18 nanometer pada 2023.
Pendakwa raya menganggarkan Samsung mengalami kerugian ekonomi kira-kira 5 trilion won ($3.56 bilion) dalam bentuk jualan yang hilang untuk 2024 sahaja, dengan kesan jangka panjang berpotensi mencecah puluhan trilion won. Siasatan turut mendedahkan bahawa CXMT memperoleh teknologi DRAM tambahan daripada SK Hynix melalui sebuah pembekal, sekali gus mempercepat jadual pembangunannya. Individu yang didakwa dilaporkan menerima gaji tahunan di CXMT tiga hingga lima kali lebih tinggi daripada pendapatan terdahulu mereka di Samsung, mencecah berbilion-bilion won setahun.
Shim Dae-yong, profesor di Universiti Dong-A yang menyelia perniagaan DRAM di SK Hynix selama 26 tahun, menegaskan bahawa modal sahaja tidak dapat mengatasi halangan teknologi.
Perniagaan semikonduktor bukan sesuatu yang boleh dikuasai dengan wang semata-mata. Kitaran peningkatan industri yang pesat menyebabkan teknologi lama cepat hilang kerelevanan selepas mencapai kemuncaknya, sekali gus mengehadkan kesan ekonomi jangka panjang daripada penguasaan dalam segmen kelas rendah.
Persaingan Bahagian Pasaran dan Tekanan Harga
Dinamika persaingan mengubah struktur pasaran dengan ketara. Menurut data Counterpoint Research bagi suku ketiga 2025, SK Hynix mengekalkan kedudukan teratas dalam jualan DRAM keseluruhan dengan bahagian pasaran 34 peratus, diikuti rapat Samsung pada 33 peratus dan Micron pada 26 peratus. CXMT meningkat dengan pantas kepada bahagian 5 peratus, berbanding 3 peratus pada hujung 2024, menunjukkan momentum besar dalam pasaran matang.
Dalam segmen HBM yang amat penting dari segi strategi, SK Hynix menguasai 57 peratus bahagian pasaran, Samsung melonjak kepada 22 peratus dan Micron memegang 21 peratus. Peningkatan Samsung berlaku selepas syarikat itu bergelut dengan sekatan eksport ke China pada separuh pertama tahun ini, menunjukkan ketidaktentuan yang dicetuskan oleh kawalan geopolitik. Pembekal dilaporkan telah menjual habis produk HBM hingga 2026 ketika permintaan AI terus melonjak.
CXMT menggunakan strategi harga agresif untuk menembusi pasaran, dengan menawarkan cip DRAM DDR4 pada harga hampir separuh daripada harga pesaing mapan. Potongan harga ini menekan margin Samsung, SK Hynix dan Micron, sambil menguntungkan pengguna hiliran. Analisis pembongkaran produk menunjukkan bahawa produk DDR5 16Gb firma China itu mencapai ketumpatan bit yang serupa dengan produk Micron pada 2021, namun saiz acuan cipnya lebih besar dan kadar hasilnya belum disahkan, yang berkemungkinan membawa kepada kos pembuatan lebih tinggi.
Keadaan permintaan menyokong peluasan, dengan penyedia perkhidmatan awan China termasuk Tencent, Baidu dan Alibaba dijangka membelanjakan sejumlah $31.98 bilion pada 2025, peningkatan hampir 40 peratus berbanding 2024. Eksport semikonduktor Korea Selatan meningkat 22.2 peratus tahun ke tahun kepada rekod $173.4 bilion pada 2025, didorong ledakan AI ini meskipun persaingan semakin sengit.
Kawalan Geopolitik dan Titik Sekatan Peralatan
Persaingan teknologi ini berlaku dalam rangkaian kawalan eksport dan sekatan keselamatan negara yang semakin ketat. Pada Disember 2024, Amerika Syarikat mengumumkan pakej kawalan eksport baharu yang secara khusus menyasarkan akses China kepada memori lebar jalur tinggi dan peralatan pembuatan semikonduktor yang penting untuk pengeluaran HBM. Peraturan itu menambah lebih 140 pengeluar cip dan pembuat peralatan China ke dalam Senarai Entiti Jabatan Perdagangan, dengan tujuan menyekat pembangunan AI China melalui titik sekatan HBM.
Sekatan itu menimbulkan cabaran operasi serta-merta kepada CXMT. Kakitangan penyelenggaraan daripada firma peralatan semikonduktor Amerika yang ditempatkan di syarikat itu diarahkan untuk meninggalkan tempat kerja, menjejaskan jadual pembangunan DRAM dan HBM. Walaupun CXMT telah menimbun peralatan yang mencukupi untuk meneruskan operasi hingga 2026 atau 2027, kawalan eksport sedia ada mengehadkan keupayaannya membangunkan dan meningkatkan skala pengeluaran melebihi nod semasa tanpa akses kepada peralatan litografi ultraungu ekstrem.
Usaha China untuk membangunkan keupayaan EUV domestik diteruskan. Laporan menyatakan bahawa prototaip peralatan yang disasarkan untuk menghasilkan cip berfungsi menjelang 2028 telah siap, walaupun penganalisis menjangkakan pengeluaran komersial hanya akan bermula sekitar 2030. Tanpa akses kepada EUV, CXMT mungkin menghadapi cabaran yang sama seperti kilang semikonduktor China yang lain dalam meningkatkan kadar hasil dan mengurangkan saiz acuan cip pada nod bawah 15 nanometer, sekali gus berpotensi mengehadkan keupayaannya untuk menyamai kecekapan pesaing Korea dan Amerika.
Akses kepada pasaran global turut menimbulkan kekangan tambahan. CXMT masih belum disenaraikan dalam Senarai Entiti pada awal 2026, namun Washington dilaporkan telah membincangkan kemungkinan menyenaraihitamkan syarikat itu sejak Januari, sekali gus menimbulkan risiko besar terhadap kegiatan komersialnya. Walaupun tanpa penyenaraian, jurang teknologi dan ketegangan geopolitik menghalang firma asing daripada menggunakan HBM CXMT untuk pemecut AI mereka, sekali gus mengehadkan pelanggan syarikat itu terutamanya kepada pasaran domestik China meskipun teknologinya semakin maju.
Perkara Utama
- Syarikat Korea Selatan Samsung dan SK Hynix, bersama Micron, mengekalkan penguasaan dengan lebih 90 peratus pasaran DRAM global, walaupun CXMT telah meningkatkan bahagiannya kepada 5 peratus
- Jurang teknologi kekal sekitar dua hingga tiga tahun dalam DRAM standard dan tiga hingga empat tahun dalam memori lebar jalur tinggi; peneraju Korea menghasilkan nod 1b/1c, manakala syarikat China beroperasi pada 1z
- CXMT memfailkan permohonan untuk IPO Shanghai bernilai $4.2 bilion selepas mencatat keuntungan buat kali pertama pada 2025, dengan sokongan program subsidi semikonduktor Big Fund China bernilai $95 bilion
- Pendakwa raya Korea Selatan mendakwa 10 bekas pekerja Samsung pada Disember 2025 kerana membocorkan teknologi DRAM 10 nanometer kepada CXMT, menyebabkan kerugian yang dianggarkan bernilai $3.56 bilion
- Kawalan eksport AS pada Disember 2024 mengehadkan akses kepada peralatan pembuatan HBM, manakala permintaan AI China mendorong penghantaran Nvidia H20 melebihi satu juta unit sebelum larangan dikenakan
- CXMT merancang pengeluaran besar-besaran HBM3 menjelang 2026 dan HBM3E menjelang 2027, sekali gus mengecilkan jurang dengan peneraju Korea yang kini menghantar HBM3E dan sedang membangunkan HBM4
