Kemajuan Cip Memori CXMT Goncang Pasaran Saham Global ketika Pelabur Menilai Semula Cabaran China

Bacaan 10 minit
CXMT Memory Chip Advance Jolts Global Stocks as Investors Reassess China's Challenge

Sel memori yang lebih kecil mencetuskan jualan besar-besaran global

ChangXin Memory Technologies dari China merancang memperkenalkan produk memori pelayan baharu sebelum penghujung 2026, menggunakan seni bina yang boleh meningkatkan ketumpatan memori sekitar 30%. Pengumuman itu menyebabkan saham pengeluar cip mapan merosot ketara, meskipun usaha untuk menjadikan reka bentuk itu pengeluaran besar-besaran yang boleh diharap masih memerlukan kerja lanjut.

Kandungan
  1. Sel memori yang lebih kecil mencetuskan jualan besar-besaran global
  2. Maksud 4F² dalam bahasa mudah
  3. Bagaimana CXMT mengubah proses pembuatan
  4. Pelancaran disusuli ujian pengeluaran yang lebih panjang
  5. Mengapa reaksi pasaran turut menjejaskan syarikat selain pengeluar memori
  6. Mengapa HBM merupakan persaingan yang berbeza
  7. Peningkatan bahagian pasaran dan jadual pembangunan yang padat
  8. Kawalan eksport membentuk laluan pengembangan
  9. Pelanggan dan penilaian menaikkan taruhan
  10. Perkara Utama

Presiden CXMT, Cao Kanyu, membentangkan kemajuan itu pada persidangan industri di Shanghai pada 10 Oktober. Syarikat itu sedang membangunkan reka bentuk yang dinamakan 4F², yang mengurangkan ruang bagi setiap sel memori. Produk yang dirancang menyasarkan pelayan pusat data, sekali gus meletakkannya dalam persaingan lebih langsung dengan Samsung Electronics, SK Hynix dan Micron Technology.

Pada 13 Oktober, saham SK Hynix ditutup kira-kira 10% lebih rendah dan Samsung merosot 7.4%, dengan kedua-duanya mencecah paras terendah sejak Ogos. Indeks Kospi Korea Selatan jatuh 5.5%. Micron susut 3.62% dalam dagangan Selasa selepas merosot kira-kira 3.9% pada Isnin.

Reaksi itu merebak kepada pembekal peralatan cip, syarikat penyimpanan data dan saham teknologi lain. Pelabur menilai semula seberapa pantas pengeluar China boleh mencabar syarikat yang mendapat manfaat daripada permintaan terhadap pengkomputeran kecerdasan buatan.

Sasaran segera CXMT ialah memori pelayan konvensional. Memori lebar jalur tinggi, atau HBM, iaitu memori khusus yang digunakan bersama pemproses AI berkuasa, kekal sebagai kelebihan lebih kukuh bagi pesaing mapannya. Ujian komersial bagi CXMT ialah menghasilkan cip yang mencukupi, boleh diharap dan pada kos yang kompetitif.

Maksud 4F² dalam bahasa mudah

DRAM, singkatan bagi memori capaian rawak dinamik, menyimpan maklumat yang sedang digunakan oleh komputer. Pelayan memerlukan memori kerja ini untuk memastikan data berada dekat dengan pemproses ketika pemproses menjalankan tugas. Setiap cip mengandungi sejumlah besar sel memori yang sangat kecil.

Susun atur 6F² yang lazim dalam industri memberikan setiap sel keluasan bersamaan enam kali ganda kuasa dua saiz ciri minimum, yang dilambangkan sebagai F. Susun atur 4F² mengurangkan keluasan itu kepada empat kali ganda kuasa dua yang sama. Jika saiz ciri tidak berubah, sel itu sendiri menggunakan ruang kira-kira satu pertiga lebih kecil.

Iklan

Sel yang lebih kecil boleh membolehkan lebih banyak maklumat dimuatkan pada cip. Peningkatan bagi keseluruhan produk turut bergantung pada ruang yang digunakan litar lain dan pilihan pembuatan. Penganalisis Morningstar, Jing Jie Yu, menganggarkan bahawa pengkomersialan seni bina CXMT yang berjaya boleh meningkatkan ketumpatan memorinya sebanyak 30%.

Zhang Xiaolu, timbalan pengarah di firma perunding CIC, menganggarkan potensi peningkatan 30% hingga 50% dalam bilangan bit yang dihasilkan bagi setiap wafer, di samping pengurangan kira-kira 33% dalam keluasan setiap sel. Anggaran ini menggambarkan potensi reka bentuk itu, bukannya hasil yang diukur daripada pengeluaran besar-besaran mapan.

Samsung dan SK Hynix turut meneroka reka bentuk 4F². SK Hynix membentangkan pelan pembangunan pada 2025, menjadikan jangka masa pengenalan yang dicadangkan CXMT amat sensitif bagi pelabur yang menilai kelebihan teknologi pembekal sedia ada.

Bagaimana CXMT mengubah proses pembuatan

Cao menerangkan pendekatan yang dinamakan Vertical Surrounding Gate, atau VSG, yang mengubah susunan transistor yang mengawal sel memori. Syarikat itu menjangkakan struktur ini mengurangkan kebocoran elektrik dan masalah lain yang semakin sukar dikawal apabila sel mengecil.

Kebocoran elektrik bermaksud arus terlepas ke tempat yang tidak sepatutnya. Dalam cip memori, kawalan terhadap arus membantu sel menyimpan maklumat dengan boleh diharap sambil mengehadkan pembaziran kuasa. Reka bentuk yang lebih kecil hanya berguna jika selnya terus berfungsi secara konsisten.

CXMT juga merancang untuk menghasilkan sel memori dan litar pinggirannya pada wafer silikon berasingan, kemudian menyambungkannya melalui ikatan hibrid. Litar pinggiran mengendalikan fungsi seperti memilih sel dan memindahkan maklumat masuk dan keluar daripadanya. Ikatan hibrid menyambungkan bahagian yang dihasilkan secara berasingan melalui sambungan elektrik dan fizikal yang sangat tepat.

Cao berkata pemisahan langkah pembuatan itu merupakan teras pendekatan syarikat. Zhang berkata gabungan VSG dan ikatan pada peringkat wafer boleh meningkatkan ketumpatan tanpa bergantung pada litografi ultraungu ekstrem, atau EUV, iaitu teknologi canggih yang digunakan untuk mencetak corak cip yang sangat kecil.

Pelancaran disusuli ujian pengeluaran yang lebih panjang

CXMT dijangka memperkenalkan DDR5 RDIMM menggunakan seni bina baharu itu menjelang penghujung 2026. DDR5 ialah generasi memori komputer, manakala RDIMM ialah modul memori yang lazim digunakan dalam pelayan. Produk itu perlu berfungsi dengan baik bersama mesin dan sistem yang sudah digunakan pelanggan.

Iklan

Hasil pengeluaran, iaitu bahagian cip yang dihasilkan dan berfungsi cukup baik untuk dijual, masih belum diketahui. Cao tidak mendedahkan angka hasil terperinci atau jadual tetap bagi penghantaran komersial secara besar-besaran. Proses yang menghasilkan banyak cip rosak boleh menjadi mahal walaupun reka bentuk asasnya menjanjikan.

Jing Jie Yu, penganalisis Morningstar, menyifatkan peluang persaingan dan cabaran pembuatan itu:

Pelaksanaan seni bina 4F² yang berjaya dan lebih awal dalam pengeluaran DRAM akan meningkatkan kedudukan daya saing CXMT berbanding pesaing dengan ketara,

Yu turut menjangkakan jurang masa yang ketara antara pelancaran produk dengan pengkomersialan pada hasil pengeluaran yang berdaya maju, sambil menekankan kesukaran mengekalkan hasil yang seragam dalam pengeluaran besar-besaran.

Zhang berkata pengesahan memori pelayan lazimnya mengambil masa 18 hingga 24 bulan. Dalam tempoh itu, pelanggan memeriksa sama ada produk memenuhi keperluan ketat dari segi keserasian, kebolehpercayaan dan operasi. Oleh itu, pengenalan produk memulakan satu lagi peringkat ujian dan penerimaan sebelum penggunaan meluas.

Mengapa reaksi pasaran turut menjejaskan syarikat selain pengeluar memori

SoftBank Group dari Jepun jatuh 8.5%, pembekal peralatan semikonduktor Tokyo Electron susut 7.2%, manakala pengeluar peralatan ujian Advantest merosot 2.9%. Indeks Nikkei 225 turun 1.8%, menunjukkan jualan meluas kepada syarikat yang tidak bersaing secara langsung dengan CXMT.

Saham Eropah turut merosot. ASML jatuh 3.3%, manakala STMicroelectronics dan Infineon masing-masing susut kira-kira 5%. Syarikat penyimpanan data SanDisk, Seagate dan Western Digital turut merosot. CXMT sendiri ditutup 2.8% lebih rendah di Shanghai pada Selasa.

Jualan besar-besaran itu menyusuli sesi dagangan Isnin yang sudah lemah di Amerika Syarikat, apabila Nasdaq Composite jatuh 0.44%. Vey-Sern Ling, penasihat ekuiti kanan di Union Bancaire Privee, berkata pelabur sedang mengambil untung daripada saham AI yang mencatat prestasi kukuh, khususnya syarikat memori.

Phillip Wool, ketua strategi pasaran di Rayliant Global Advisors, berpendapat skala jualan itu tidak sepadan dengan ancaman persaingan serta-merta. Beliau merujuk kepada kerja yang masih diperlukan CXMT untuk mengeluarkan reka bentuk baharu itu secara besar-besaran.

Dagangan pada hari berikutnya menunjukkan penurunan lebih kecil bagi SK Hynix, yang jatuh 1.66% pada 14 Oktober. Pelabur menimbang kemungkinan perubahan persaingan dalam jangka panjang berbanding proses praktikal yang jauh lebih perlahan untuk melayakkan cip dan meningkatkan pengeluaran.

Mengapa HBM merupakan persaingan yang berbeza

HBM memindahkan sejumlah besar data dengan pantas antara memori dan pemproses. Ia amat bernilai dalam sistem AI kerana pemproses berkuasa memerlukan aliran maklumat berterusan supaya tidak terbiar. Pengeluarannya melibatkan proses pembuatan, penyusunan tindanan dan pembungkusan yang mencabar.

Iklan

Produk pelayan DDR5 yang dicadangkan CXMT memenuhi bahagian lain keperluan memori pusat data. Memori pelayan umum menyokong sistem secara keseluruhan, manakala HBM menyediakan capaian yang amat pantas untuk pemproses berprestasi tinggi seperti pemecut AI Nvidia.

Wool menerangkan kedudukan pembekal mapan dalam pasaran HBM:

Lebih penting lagi, kita langsung tidak membincangkan HBM di sini, dan pengeluar cip Korea masih jelas menguasai bidang itu, tanpa ancaman besar daripada CXMT atau pihak lain dalam masa terdekat,

Zhang berkata pengeluar utama luar negara menumpukan kapasiti pada HBM3e dan HBM4, manakala bekalan DDR5 pelayan konvensional masih terhad. Keadaan itu membuka peluang kepada pembekal lain yang boleh diharap untuk memori pelayan umum, khususnya bagi pelanggan China yang mencari sumber domestik.

Ling turut melihat perbezaan antara cabaran persaingan jangka panjang dengan keupayaan pembuatan semasa. Syarikat memori China boleh mempengaruhi imbangan bekalan dan permintaan dari semasa ke semasa, katanya, namun masih berdepan kesukaran teknologi dalam jangka pendek.

Peningkatan bahagian pasaran dan jadual pembangunan yang padat

Counterpoint Research menganggarkan bahagian CXMT dalam hasil DRAM global meningkat daripada 4% pada suku kedua 2025 kepada 10% pada suku kedua 2026, menjadikannya pembekal DRAM keempat terbesar di dunia. Analisis HSBC turut menganggarkan bahagiannya sekitar 10%, meningkat daripada kira-kira 4% setahun sebelumnya.

Peningkatan itu bersamaan enam mata peratusan, atau dua setengah kali ganda bahagian sebelumnya. Ini memberikan CXMT asas komersial yang semakin besar ketika syarikat itu membangunkan seni bina seterusnya. Syarikat itu juga sedang menuju ke arah pengeluaran memori telefon pintar LPDDR6 mengikut jadual yang secara umum serupa dengan Samsung dan SK Hynix.

Pengumuman terkini CXMT menunjukkan beberapa projek bergerak serentak:

  • 20 September 2026: Syarikat itu mengumumkan pengeluaran besar-besaran pada platform proses DRAM generasi kelimanya, yang dinamakan G5, dan memperkenalkan memori LPDDR5X berkapasiti tinggi.
  • 28 September 2026: Syarikat itu mengumumkan rancangan projek penyelidikan dan pembangunan bernilai 24.1 bilion yuan serta tapak ujian fasa kedua bernilai 10.8 bilion yuan.
  • 10 Oktober 2026: Cao membentangkan kemajuan peranti DRAM, seni bina 4F² dan ikatan hibrid di Shanghai.
  • Menjelang penghujung 2026: CXMT menyasarkan untuk memperkenalkan produk memori pelayan baharunya.

Platform G5 menggunakan empat pendedahan semasa pembentukan corak dan mencapai separuh jarak aktif 11.95 nanometer, iaitu ukuran jarak dalam tatasusunan memori. Kedua-dua projek pelaburan yang dirancang itu berjumlah 34.9 bilion yuan dan meliputi pembangunan proses, pembungkusan, pengujian serta pemasangan modul.

Iklan

Kawalan eksport membentuk laluan pengembangan

CXMT, yang ditubuhkan pada 2016 dan beribu pejabat di Hefei, mendapat manfaat daripada pasaran elektronik domestik China yang besar. Aksesnya kepada peralatan pembuatan canggih dihadkan oleh sekatan eksport, termasuk sekatan yang menjejaskan sistem EUV paling canggih ASML.

Seni bina yang dicadangkan itu lebih menekankan susunan peranti dan penyambungan wafer yang dihasilkan secara berasingan. Zhang berkata ia boleh mencapai ketumpatan lebih tinggi tanpa EUV, sambil mewujudkan permintaan terhadap peralatan pengelasan, pemendapan, pengikatan dan penggilapan berketepatan tinggi.

Pesaing melabur mengikut jadual peralatan dan pengeluaran yang berbeza. Jepun telah memperuntukkan sehingga 536 bilion yen untuk pengembangan operasi Micron di Hiroshima, bagi menyokong pembangunan dan pengeluaran DRAM canggih, dengan penghantaran awal disasarkan seawal 2028. Projek itu merangkumi peralatan EUV dan alat pembuatan lain.

Persaingan turut melibatkan ketegangan undang-undang. Pendakwa raya Korea Selatan mendakwa sepuluh orang berhubung kebocoran teknologi Samsung yang didakwa, melibatkan pengetahuan pembuatan yang dikatakan telah sampai kepada CXMT. Pendakwa raya mendakwa maklumat yang dipindahkan itu membantu mempercepat pengeluaran DRAM dan menyokong pembangunan HBM syarikat berkenaan. Dakwaan itu masih tertakluk kepada prosiding jenayah.

Pelanggan dan penilaian menaikkan taruhan

Penyenaraian CXMT di STAR Market Shanghai pada Julai menyebabkan harga sahamnya melonjak hampir 466% pada hari pertama dagangan, dan seketika menjadikannya syarikat paling bernilai yang disenaraikan di tanah besar China. Harga sahamnya kemudian berada kira-kira 4% di bawah harga hari pertama dagangan yang dinyatakan, iaitu 49 yuan.

Syarikat itu dinilai sekitar 3.46 trilion yuan, berbanding 3.87 trilion yuan bagi Tencent. Angka tersebut meletakkan penilaian CXMT pada kira-kira 89% daripada Tencent, menunjukkan besarnya jangkaan pelabur terhadap pengeluar memori yang baru ditubuhkan sedekad lalu.

Penerimaan pelanggan akan menentukan sejauh mana jangkauan komersialnya. Apple sedang menguji DRAM CXMT untuk peranti yang dijual di China dan mendapatkan kebenaran kerajaan AS bagi penggunaan yang lebih meluas. Tiada perjanjian bekalan yang dimuktamadkan atau kelulusan lebih luas diumumkan.

Penganalisis Citi berpendapat jualan kepada pusat data di rantau seperti Eropah boleh menjejaskan Micron walaupun sekatan AS mengehadkan jualan langsung ke pasaran Amerika. Pembekal boleh memberi tekanan persaingan melalui pelanggan di tempat lain, sekali gus mengubah pengeluar yang mendapat pesanan dan harga yang boleh dikenakan.

Bagi pengendali pelayan, prospek praktikalnya ialah sumber tambahan bagi memori konvensional sekiranya CXMT membekalkan produk yang boleh diharap dalam kuantiti mencukupi. Bagi pengeluar mapan, cabarannya ialah melindungi kelebihan teknologi sambil bersaing dalam DRAM konvensional dan memori yang lebih khusus. Pencapaian seterusnya ialah pengenalan produk yang dirancang, pengesahan pelanggan dan pengeluaran yang stabil.

Iklan

Perkara Utama

  • CXMT menyasarkan untuk memperkenalkan memori pelayan menggunakan seni bina 4F² yang lebih padat sebelum penghujung 2026.
  • SK Hynix jatuh kira-kira 10% dan Samsung 7.4% pada 13 Oktober, manakala jualan merebak ke saham teknologi global.
  • Reka bentuk itu menggabungkan struktur transistor menegak dengan wafer yang dihasilkan secara berasingan dan disambungkan melalui ikatan hibrid.
  • Penganalisis melihat potensi peningkatan ketumpatan, tetapi hasil pengeluaran dan kelayakan pelanggan akan menentukan kemajuan komersial.
  • Counterpoint menganggarkan bahagian CXMT dalam hasil DRAM meningkat daripada 4% kepada 10% antara suku kedua 2025 dan 2026.
  • Produk yang dirancang menyasarkan memori pelayan konvensional, manakala pembekal mapan kekal lebih kukuh dalam HBM untuk sistem AI.
Kongsi artikel ini

Anda juga mungkin suka