Samsung Rancang Pengeluaran Die Asas HBM 2nm di Texas, AMD Dilaporkan Mendahului Tempahan

Kilang kedua di Taylor menyasarkan litar di bawah memori AI

Samsung Electronics merancang untuk mengeluarkan komponen termaju bagi memori kecerdasan buatan (AI) di kilang cip keduanya di Taylor, Texas, dengan pengeluaran besar-besaran dijadualkan bermula pada 2030. Kemudahan yang dicadangkan itu akan menggunakan proses pembuatan 2 nanometer, meliputi kira-kira 2.7 juta kaki persegi dan membekalkan die asas yang terletak di bawah timbunan memori jalur lebar tinggi, atau HBM.

Menurut maklumat industri, pelanggan telah menempah keseluruhan kapasiti pengeluaran yang dirancang untuk kilang itu, dengan AMD mengambil sebahagian besar jumlah tersebut. Nvidia turut dikenal pasti sebagai bakal pelanggan. Samsung enggan mengulas mengenai laporan kilang itu, dan tempahan berkenaan belum disahkan secara bebas. Pecahan terperinci antara pelanggan, nilai kontrak dan kapasiti pengeluaran dalam wafer belum didedahkan.

Projek itu akan memberi Samsung satu lagi laluan untuk menyertai perniagaan pembuatan litar logik yang semakin berkembang di dalam memori AI. Bahagian memori syarikat itu menghasilkan cip untuk menyimpan maklumat, manakala bahagian faundrinya membuat cip yang mengandungi litar pemprosesan dan kawalan. Reka bentuk HBM yang lebih rumit semakin merapatkan hubungan antara kedua-dua perniagaan itu.

Keperluan Nvidia turut merumitkan peluang tersebut. Pereka pemproses AI itu dilaporkan meminta Samsung, SK hynix dan Micron menggunakan proses pembuatan TSMC, pesaingnya, untuk menghasilkan die asas bagi memori NVHBM tersuainya. Oleh itu, Samsung berdepan dua laluan komersial berbeza: membuat memori dengan komponen TSMC untuk Nvidia, dan menggunakan kilangnya sendiri untuk pelanggan termasuk AMD.

Cadangan di Texas itu menjadikan kedua-dua laluan tersebut lebih ketara. Samsung boleh kekal sebagai pembekal memori utama walaupun die asas dibuat oleh syarikat lain, sambil berusaha meraih lebih banyak hasil pembuatan daripada pelanggan yang memilih prosesnya sendiri.

Produk kilang di Texas

HBM menggabungkan beberapa cip memori dalam timbunan menegak di sisi pemproses berkuasa. Susunan ini membolehkan sejumlah besar maklumat bergerak pada jarak dekat, sekali gus membantu pemproses AI menerima data yang diperlukan untuk pengiraan. Lebar jalur merujuk kepada jumlah data yang boleh dipindahkan dalam tempoh tertentu, bukannya jumlah maklumat yang boleh disimpan oleh memori.

Die ialah sekeping silikon individu yang mengandungi litar elektronik. Dalam timbunan HBM, die teras memori menyimpan data. Die asas di bawahnya menyediakan sambungan dan fungsi logik yang membantu timbunan itu berkomunikasi dengan pemproses.

Samsung merancang untuk menggabungkan die asas yang dibuat di Taylor dengan DRAM yang dihasilkan di Korea Selatan. DRAM ialah memori kerja yang menyimpan maklumat buat sementara waktu semasa sistem pengkomputeran beroperasi. Oleh itu, rantaian pengeluaran yang dicadangkan itu akan menghubungkan pembuatan logik di Amerika dengan pengeluaran memori di Korea.

Menurut maklumat industri, produk HBM4 Samsung yang kini dalam pengeluaran besar-besaran dan sampel HBM4E menggunakan die asas yang dibuat dengan proses 4 nanometer. Taylor Fab 2 akan beralih kepada 2 nanometer, dengan kemungkinan menggunakan proses lebih maju apabila produk masa depan memerlukannya. Nama proses ini merujuk kepada generasi teknologi pembuatan yang digunakan untuk memuatkan litar semakin kompleks ke dalam cip kecil.

Fasa pembinaan berlanjutan hingga 2030

Taylor Fab 2 dirancang meliputi kira-kira 250,000 meter persegi, sekitar 1.5 kali ganda saiz kilang Taylor pertama. Kerja penyediaan tapak dan perataan tanah dilaporkan sedang dijalankan, manakala pembinaan utama dijadualkan bermula pada awal November 2026.

Jadual itu membezakan permulaan kerja pembinaan daripada pemasangan peralatan pembuatan dan pengeluaran cip yang boleh dijual. Kilang cip memerlukan pemasangan peralatan dan penyediaan proses yang menyeluruh selepas bangunannya siap dibina.

• Mac 2026: Majlis bandar Taylor meluluskan sokongan kejuruteraan bagi permit berkaitan kilang kedua.
• Awal November 2026: Pembinaan utama dijadualkan bermula di Taylor Fab 2.
• 2027: Kilang Taylor pertama dijangka memulakan pengeluaran besar-besaran.
• Februari 2029: Pemasangan peralatan dijangka bermula di kilang kedua.
• 2030: Taylor Fab 2 dijadualkan memulakan pengeluaran besar-besaran.

Jadual itu meletakkan kilang kedua beberapa tahun selepas perebutan segera mendapatkan bekalan memori AI. Tujuan komersialnya adalah untuk memastikan kedudukan dalam generasi produk seterusnya, apabila die asas dijangka membawa litar yang lebih rumit.

Kepentingan AMD kepada peluasan yang dicadangkan

AMD merangkumi sebahagian besar tempahan yang dilaporkan untuk Taylor Fab 2. Maklumat industri menunjukkan bahawa keperluan AMD sahaja boleh memberi tekanan kepada kapasiti kilang yang dirancang, menjadikan syarikat itu pelanggan utama dalam peluasan yang dicadangkan Samsung.

Samsung berhasrat meneruskan model pembuatan bersepadu untuk HBM tersuai yang dibekalkan kepada AMD dan pelanggan lain. Dalam aturan itu, perniagaan Samsung sendiri akan menghasilkan kedua-dua die teras memori dan die asas, bukannya membeli die asas daripada faundri lain.

Bagi Samsung, pendekatan itu boleh menjana hasil untuk operasi memori dan faundrinya. Bagi AMD pula, tempahan kapasiti pembuatan akan menyediakan tempat dalam jadual pengeluaran ketika perniagaan cip AInya berkembang. Reka bentuk memori khusus yang diliputi oleh tempahan Taylor yang dilaporkan itu belum diperincikan.

Hubungan itu melengkapi usaha lebih luas untuk meningkatkan kecekapan pemproses mengakses data. Samsung membentangkan kerjasama AMD dalam pemumpulan memori semasa pembentangan infrastruktur AInya pada Oktober 2026, bersama HBM tersuai dan teknologi memori lain. Rancangan Taylor melibatkan bahagian lain dalam usaha itu: pembuatan silikon di bawah timbunan HBM masa depan.

Sebab Nvidia meminta pembekal menggunakan TSMC

Keperluan pembuatan Nvidia yang dilaporkan itu akan membawa TSMC ke satu peringkat pengeluaran HBM yang secara tradisinya dikendalikan sendiri oleh Samsung. Maklumat industri bertarikh 18 Oktober 2026 menyatakan bahawa Nvidia meminta Samsung, SK hynix dan Micron menggunakan proses 3 nanometer TSMC untuk die asas NVHBM, bersama teknologi pembuatan DRAM generasi keenam bagi die teras memori.

Nvidia mahu memori daripada pembekalnya beroperasi dengan lebih konsisten. Penggunaan proses pembuatan yang sama untuk die asas boleh mengurangkan perbezaan antara produk dan mengurangkan kerja kejuruteraan yang diperlukan untuk meluluskan memori daripada setiap pengeluar agar boleh digunakan dengan pemproses Nvidia.

Samsung dilaporkan menerima keperluan itu selepas semakan dalaman. Langkah tersebut meluaskan kerjasama terdahulu dengan TSMC, yang sebelum ini tertumpu pada memastikan memori Samsung serasi dengan teknologi pembungkusan cip TSMC, kepada pembuatan komponen HBM yang penting.

Keperluan Nvidia berhubung die asas yang dihuraikan pada Oktober menjelaskan sebab cita-cita Samsung di Texas dan penggunaan TSMC boleh berjalan serentak. Samsung boleh membekalkan memori kepada Nvidia yang menggunakan die asas TSMC, sambil mengejar tempahan pembuatan sendiri di tempat lain.

NVHBM menambah litar kawalan dalam memori

NVHBM mengubah pembahagian tugas antara pemproses utama dengan memori di sisinya. Reka bentuknya memindahkan pengawal memori, iaitu litar yang mengawal aliran data, daripada unit pemprosesan grafik ke dalam die asas HBM.

Nvidia memperoleh ruang pada pemproses utama untuk lebih banyak litar pengkomputeran. Die asas memikul peranan yang lebih besar, menjadikan teknologi pembuatannya lebih penting kepada sistem keseluruhan. Memuatkan logik tambahan itu ke dalam ruang yang terhad merupakan antara sebab proses termaju digunakan.

Hasil pembuatan turut mempengaruhi kos dan bekalan. Hasil merujuk kepada bahagian cip yang dihasilkan pada wafer silikon yang memenuhi piawaian ditetapkan. Anggaran industri meletakkan hasil proses 3 nanometer TSMC melebihi 90%, berbanding kira-kira 60% bagi proses 2 nanometer Samsung. Anggaran itu merujuk kepada proses yang berbeza, tetapi membantu menjelaskan daya tarikan komersial proses yang mampu menghasilkan bahagian cip boleh guna yang tinggi.

Samsung turut menilai pengeluaran die asas NVHBM menggunakan teknologi pembuatannya sendiri, yang berpotensi membekalkan pilihan alternatif jika permintaan melebihi kapasiti TSMC. Keutamaan Nvidia yang dilaporkan terhadap TSMC bermakna peranan Nvidia yang dicadangkan di Taylor bergantung pada keputusan sumber bekalan pada masa depan. HBM konvensional dan NVHBM boleh wujud serentak sementara Nvidia terus menjual beberapa generasi pemproses.

Permintaan memori meningkat lebih pantas daripada bekalan

UBS meramalkan permintaan HBM sekitar 61.5 bilion gigabit pada 2027, meningkat 91% berbanding tahun sebelumnya. Jangkaan penghantaran sekitar 54.6 bilion gigabit akan meninggalkan kekurangan sebanyak 6.9 bilion gigabit, atau kira-kira 11% daripada permintaan yang diramalkan.

Angka itu mengukur jumlah memori, bukannya bilangan timbunan HBM siap. Perbandingan tersebut menunjukkan sebab syarikat pemproses mendapatkan komitmen kapasiti jauh sebelum kilang baharu mula beroperasi.

Permulaan pengeluaran Vera Rubin oleh Nvidia menambah satu lagi sumber permintaan segera terhadap memori termaju. Samsung, SK hynix dan Micron bersaing untuk membekalkan HBM4 bagi platform itu sambil membangunkan generasi seterusnya.

Sasaran Taylor Fab 2 pada 2030 menyusul selepas kekurangan yang digariskan dalam ramalan UBS. Kilang itu akan memenuhi keperluan pasaran kemudian, yang dibentuk oleh pertumbuhan lanjut pengkomputeran AI dan perubahan reka bentuk memori. Oleh itu, rancangan Samsung merupakan pelaburan kapasiti dan keputusan tentang bahagian sistem memori masa depan yang mahu dihasilkannya.

Kilang Taylor pertama menjadi titik permulaan

Kilang Taylor pertama Samsung dijangka memulakan pengeluaran pada 2027, tiga tahun sebelum kemudahan kedua. Tesla dikenal pasti sebagai pelanggan utamanya menerusi perjanjian bernilai AS$16.5 bilion yang dilaporkan, meliputi cip AI5 dan AI6.

Pelaburan yang dilaporkan berkaitan kilang pertama itu meningkat daripada AS$17 bilion kepada AS$37 bilion, dan projek tersebut merangkumi bantuan AS$4.75 bilion di bawah Akta CHIPS AS. Tapak Taylor yang lebih luas meliputi 1,268 ekar dan mempunyai ruang untuk sehingga 10 kilang.

Kedua-dua kilang itu akan memberikan peranan berbeza kepada tapak berkenaan. Kilang pertama dikaitkan dengan pembuatan pemproses AI, manakala kilang kedua dirancang untuk menghasilkan komponen logik bagi memori termaju. Bagi pelanggan, ini akan meluaskan rangkaian silikon berkaitan AI yang boleh dihasilkan Samsung di Amerika Syarikat.

Korea Selatan akan kekal sebagai sebahagian daripada rantaian pengeluaran HBM yang dicadangkan kerana Samsung merancang menghasilkan DRAM di negara itu. Peluasan di Texas akan mengagihkan pengeluaran antara kedua-dua negara, dengan die asas dari Amerika digabungkan dengan memori dari Korea.

Samsung berusaha memperkukuh perniagaan faundrinya

Samsung berkata hasil faundrinya pada suku ketiga mendapat manfaat daripada jualan die logik HBM dan tempahan 2 nanometer termaju daripada pengendali awan besar serta pelanggan AI lain. Namun, perniagaan itu masih mengalami kerugian.

Syarikat itu mengunjurkan pertumbuhan lebih 130% dalam tempahan 2 nanometer sepanjang 2026. Kiwoom Securities menjangkakan bahagian faundri kembali mencatat keuntungan pada suku keempat. Kilang kedua Taylor yang kapasiti penuhnya telah ditempah akan menyokong usaha pemulihan itu dengan menyediakan aliran pengeluaran jangka panjang kepada Samsung.

Pelanggan lain yang berpotensi masih pada peringkat awal. Pemerhati industri mengenal pasti Broadcom sebagai bakal pembeli die asas HBM dari Taylor. Samsung juga sedang mengusahakan kemungkinan projek cip AI 2 nanometer untuk pelanggan awan AS melalui Faraday dari Taiwan, sebuah syarikat yang mereka bentuk cip tersuai. Tempahan pembuatan bagi projek itu belum disahkan.

Permintaan AMD yang dilaporkan memberikan tumpuan pelanggan paling jelas kepada rancangan di Texas itu. Nvidia pula menawarkan peluang yang lebih rumit kerana keperluan memorinya kini mengarahkan pembuatan die asas kepada TSMC. Cabaran Samsung adalah untuk menukar permintaan terhadap memorinya kepada lebih banyak kerja untuk kilangnya sendiri, sambil memenuhi reka bentuk dan keperluan pengeluaran pilihan setiap pelanggan.

Perkara Utama

• Kilang kedua Samsung di Taylor dirancang untuk menghasilkan die asas HBM menggunakan proses 2 nanometer, dengan pengeluaran besar-besaran dijadualkan bermula pada 2030.
• Menurut maklumat industri, keseluruhan kapasiti yang dirancang telah ditempah, kebanyakannya oleh AMD. Samsung belum mengesahkan laporan itu.
• Pembinaan utama dijadualkan bermula pada awal November 2026, diikuti pemasangan peralatan mulai Februari 2029.
• Samsung merancang menggabungkan die asas dari Texas dengan DRAM yang dihasilkan di Korea Selatan.
• Nvidia dilaporkan meminta tiga pembekal utama HBM menggunakan proses 3 nanometer TSMC untuk die asas NVHBM.
• UBS mengunjurkan permintaan HBM sebanyak 61.5 bilion gigabit pada 2027, berbanding jangkaan penghantaran sebanyak 54.6 bilion gigabit.
• Peluasan itu akan menyokong usaha Samsung untuk mendapatkan lebih banyak perniagaan pembuatan termaju, ketika bahagian faundrinya berusaha mencapai keuntungan.